FHTA8550G-ME. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHTA8550G-ME

Маркировка: 9G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 280

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FHTA8550G-ME

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHTA8550G-ME даташит

 6.1. Size:469K  cn fh
 fhta8550-me.pdf pdf_icon

FHTA8550G-ME

FHTA8550-ME PNP Transistor DESCRIPTIONS SOT-23 PNP PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. APPLICATIONS General purpose application,switching. PIN ASSIGNMENT 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR Equivalent Circuit Name rule Name Addition

 9.1. Size:464K  cn fh
 fhta8050-me.pdf pdf_icon

FHTA8550G-ME

FHTA8050-ME NPN Transistor DESCRIPTIONS SOT-23 NPN NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. APPLICATIONS General purpose application,switching. PIN ASSIGNMENT 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR Equivalent Circuit Name rule Name Addition

Другие транзисторы: FHTA1514R, FHTA1514S, FHTA42-ME, FHTA8050O-ME, FHTA8050Y-ME, FHTA8050G-ME, FHTA8550O-ME, FHTA8550Y-ME, C3198, FHTA92-ME, FHTL8050O-ME, FHTL8050Y-ME, FHTL8050G-ME, FHTL8050M-ME, 13001, 2SB649AD, 2SB649AD-B