Справочник транзисторов. S8550MG-B

 

Биполярный транзистор S8550MG-B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: S8550MG-B
   Маркировка: GY4B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для S8550MG-B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S8550MG-B Datasheet (PDF)

 7.1. Size:704K  blue-rocket-elect
 s8550mg.pdf pdf_icon

S8550MG-B

S8550MG Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8050MG Complementary pair with S8050MG.HF Product. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circu

 8.1. Size:665K  blue-rocket-elect
 s8550m.pdf pdf_icon

S8550MG-B

S8550M Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8050M Complementary pair with S8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning

 8.2. Size:136K  foshan
 3cg8550m s8550m.pdf pdf_icon

S8550MG-B

S8550M(3CG8550M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Power amplifier applications. : S8050M(3DG8050M)/Features: Complementary pair with S8050M(3DG8050M). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -40 V CBO V -25 V CEO V -6.0 V EBO I -800 mA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3CA8550-B , 3CA8550-C , 3CA8550-D , MJE13003DI1G , MPSA95 , S8050MG-B , S8050MG-C , S8050MG-D , TIP32C , S8550MG-C , S8550MG-D , FD965S , FS13001 , FC1404 , FC1405 , FC1406 , FC1407 .

 

 
Back to Top

 


 
.