S8550MG-B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S8550MG-B  📄📄 

Código: GY4B

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.45 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 85

Encapsulados: SOT23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de S8550MG-B

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

S8550MG-B datasheet

 7.1. Size:704K  blue-rocket-elect
 s8550mg.pdf pdf_icon

S8550MG-B

S8550MG Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8050MG Complementary pair with S8050MG.HF Product. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circu

 8.1. Size:665K  blue-rocket-elect
 s8550m.pdf pdf_icon

S8550MG-B

S8550M Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8050M Complementary pair with S8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning

 8.2. Size:136K  foshan
 3cg8550m s8550m.pdf pdf_icon

S8550MG-B

S8550M(3CG8550M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Power amplifier applications. S8050M(3DG8050M) /Features Complementary pair with S8050M(3DG8050M). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -40 V CBO V -25 V CEO V -6.0 V EBO I -800 mA

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 3CA8550-B, 3CA8550-C, 3CA8550-D, MJE13003DI1G, MPSA95, S8050MG-B, S8050MG-C, S8050MG-D, TIP127, S8550MG-C, S8550MG-D, FD965S, FS13001, FC1404, FC1405, FC1406, FC1407