S8550MG-C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S8550MG-C

Маркировка: GY4C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для S8550MG-C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S8550MG-C даташит

 7.1. Size:704K  blue-rocket-elect
 s8550mg.pdf pdf_icon

S8550MG-C

S8550MG Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8050MG Complementary pair with S8050MG.HF Product. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circu

 8.1. Size:665K  blue-rocket-elect
 s8550m.pdf pdf_icon

S8550MG-C

S8550M Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features S8050M Complementary pair with S8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning

 8.2. Size:136K  foshan
 3cg8550m s8550m.pdf pdf_icon

S8550MG-C

S8550M(3CG8550M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Power amplifier applications. S8050M(3DG8050M) /Features Complementary pair with S8050M(3DG8050M). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -40 V CBO V -25 V CEO V -6.0 V EBO I -800 mA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CA8550-C, 3CA8550-D, MJE13003DI1G, MPSA95, S8050MG-B, S8050MG-C, S8050MG-D, S8550MG-B, S9018, S8550MG-D, FD965S, FS13001, FC1404, FC1405, FC1406, FC1407, FC3355