Справочник транзисторов. FD965S

 

Биполярный транзистор FD965S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FD965S
   Маркировка: 965
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для FD965S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FD965S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3119K  fuxinsemi
 fd965s.pdf pdf_icon

FD965S

FD965S TRANSISTOR (NPN)FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage SOT-23 Large Collector Power Dissipation and Current 32 Mini Power Type Package 11. BASE : 9652.EMITTER3.COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base V

Другие транзисторы... MJE13003DI1G , MPSA95 , S8050MG-B , S8050MG-C , S8050MG-D , S8550MG-B , S8550MG-C , S8550MG-D , 2SC5198 , FS13001 , FC1404 , FC1405 , FC1406 , FC1407 , FC3355 , FC3356 , FC3356G .

 

 
Back to Top

 


 
.