FD965S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FD965S  📄📄 

Маркировка: 965

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для FD965S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FD965S даташит

 ..1. Size:3119K  fuxinsemi
 fd965s.pdf pdf_icon

FD965S

FD965S TRANSISTOR (NPN) FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage SOT-23 Large Collector Power Dissipation and Current 3 2 Mini Power Type Package 1 1. BASE 965 2.EMITTER 3.COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base V

Другие транзисторы: MJE13003DI1G, MPSA95, S8050MG-B, S8050MG-C, S8050MG-D, S8550MG-B, S8550MG-C, S8550MG-D, MJE350, FS13001, FC1404, FC1405, FC1406, FC1407, FC3355, FC3356, FC3356G