Справочник транзисторов. ZXTN2005ZQ

 

Биполярный транзистор ZXTN2005ZQ Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: ZXTN2005ZQ
   Маркировка: 869
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 48 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

ZXTN2005ZQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  diodes
zxtn2005zq.pdfpdf_icon

ZXTN2005ZQ

ZXTN2005ZQ 25V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89 Description Mechanical Data Case: SOT89 This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirement of Automotive Applications. Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound. UL Flammability Rating 94V-0 Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Features

 5.1. Size:104K  diodes
zxtn2005z.pdfpdf_icon

ZXTN2005ZQ

ZXTN2005Z25V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89SUMMARYBVCEO = 25V : RSAT = 25m ; IC = 5.5ADESCRIPTIONPackaged in the SOT89 outline this new low saturation 25V NPN transistoroffers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuitsand various driving and power management functions.FEATURES Extremely low equivalent on-resistance; RSAT = 2

 6.1. Size:471K  diodes
zxtn2005g.pdfpdf_icon

ZXTN2005ZQ

A Product Line of Diodes Incorporated GreenZXTN2005G 25V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 Features Mechanical Data BVCEO > 60V Case: SOT223 IC = 7A Continuous Collector Current Case Material: Molded Plastic. Green Molding Compound; ICM = 20A Peak Pulse Current UL Flammability Rating 94V-0 Low Saturation Voltage VCE(sat)

 7.1. Size:135K  diodes
zxtn2007z.pdfpdf_icon

ZXTN2005ZQ

ZXTN2007Z30V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89SUMMARYBVCEO = 30V : RSAT = 23m ; IC = 6.0ADESCRIPTIONPackaged in the SOT89 outline this new low saturation 30V NPN transistoroffers extremely low on state losses making it ideal for use in DC-DC circuitsand various driving and power management functions.FEATURESSOT89 Extemely low equivalent on-resistance; RS

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: D882S-R | L2SA812SLT3G | BSYP62 | HJ127 | D38L6 | DMC56405 | GES3250A

 

 
Back to Top

 


 
.