Биполярный транзистор BFP196 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BFP196
Маркировка: RI*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.83 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT143
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BFP196 Datasheet (PDF)
bfp196.pdf

BFP 196NPN Silicon RF Transistor For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 20mA to 80mA Power amplifier for DECT and PCN systems fT = 7.5GHz F = 1.5 dB at 900MHzESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configurat
bfp196.pdf

BFP196Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, low distortion broadband3 amplifiers in antenna and telecommunications24 systems up to 1.5 GHz at collector currents from1 20 mA to 80 mA Power amplifier for DECT and PCN systems fT = 7.5 GHz, NFmin = 1.3 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) package Qualification report according to AEC-Q101
bfp196w.pdf

BFP 196WNPN Silicon RF Transistor For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 20mA to 80mA Power amplifier for DECT and PCN systems fT = 7.5GHz F = 1.5 dB at 900MHzESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configura
bfp196w.pdf

BFP196WLow Noise Silicon Bipolar RF Transistor For low noise, low distortion broadband3 amplifiers in antenna and telecommunications24 systems up to 1.5 GHz at collector currents from1 20 mA to 80 mA Power amplifier for DECT and PCN systems fT = 7.5 GHz, NFmin = 1.3 dB at 900 MHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package with visible leads Qual
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: PBHV9050Z | IMD3A | 2N3053SMD05 | 2SC5758 | 2T7236C | 3DD3145_A6 | 2SD1231
History: PBHV9050Z | IMD3A | 2N3053SMD05 | 2SC5758 | 2T7236C | 3DD3145_A6 | 2SD1231



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor