BFP640 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFP640

Маркировка: R4*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.1 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 42000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.08 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: SOT343

 Аналоги (замена) для BFP640

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP640 даташит

 ..1. Size:429K  infineon
 bfp640.pdf pdf_icon

BFP640

BFP640 Surface mount high linearity silicon NPN RF bipolar transistor Product description The BFP640 is a RF bipolar transistor based on SiGe C technology that is part of Infineon s established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of 42 GHz and high linearity characteristics at low currents make this device particularly suitable for energy efficiency designs a

 0.1. Size:533K  infineon
 bfp640esd.pdf pdf_icon

BFP640

BFP640ESD Surface mount robust silicon NPN RF bipolar transistor Product description The BFP640ESD is a RF bipolar transistor based on SiGe C technology that is part of Infineon s established sixth generation transistor family. Its ESD structure, high RF gain and low noise figure characteristics make the device suitable for a wide range of wireless applications. It remains cost competit

Другие транзисторы: BFP405F, BFP410, BFP420, BFP450, BFP520F, BFP540, BFP540ESD, BFP540FESD, B772, BFP640ESD, BFP650, BFP650F, BFP720, BFP720ESD, BFP720F, BFP720FESD, BFP740ESD