Справочник транзисторов. BFP640

 

Биполярный транзистор BFP640 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFP640
   Маркировка: R4*
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.1 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 42000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.08 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
   Корпус транзистора: SOT343
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFP640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  infineon
 bfp640.pdf pdf_icon

BFP640

BFP640Surface mount high linearity silicon NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP640 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part ofInfineons established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of42 GHz and high linearity characteristics at low currents make this device particularlysuitable for energy efficiency designs a

 0.1. Size:533K  infineon
 bfp640esd.pdf pdf_icon

BFP640

BFP640ESDSurface mount robust silicon NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP640ESD is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part ofInfineons established sixth generation transistor family. Its ESD structure, high RF gainand low noise figure characteristics make the device suitable for a wide range of wirelessapplications. It remains cost competit

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: HD1A4A | 2SD596V2 | T2448

 

 
Back to Top

 


 
.