Биполярный транзистор BFP640 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFP640
Маркировка: R4*
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.1 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 42000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.08 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
Корпус транзистора: SOT343
BFP640 Datasheet (PDF)
bfp640.pdf
BFP640Surface mount high linearity silicon NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP640 is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part ofInfineons established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of42 GHz and high linearity characteristics at low currents make this device particularlysuitable for energy efficiency designs a
bfp640esd.pdf
BFP640ESDSurface mount robust silicon NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP640ESD is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part ofInfineons established sixth generation transistor family. Its ESD structure, high RF gainand low noise figure characteristics make the device suitable for a wide range of wirelessapplications. It remains cost competit
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050