Справочник транзисторов. BFP650F

 

Биполярный транзистор BFP650F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFP650F
   Маркировка: R5*
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 42000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.26 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
   Корпус транзистора: TSFP4-1
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFP650F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  infineon
 bfp650f.pdf pdf_icon

BFP650F

BFP650FLow profile linear silicon NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP650F is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part ofInfineons established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of42 GHz along with its linearity characteristics make the device suitable for oscillators. Itremains cost competitive without compromisi

 8.1. Size:1509K  infineon
 bfp650.pdf pdf_icon

BFP650F

BFP650High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF TransistorData SheetRevision 1.1, 2012-09-13RF & Protection DevicesEdition 2012-09-13Published byInfineon Technologies AG81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AGAll Rights Reserved.Legal DisclaimerThe information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or character

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: KT837E1-IM | KSC900G | Q-00369C | KT8143M | BF883 | 3DD13005_C8D | ST411

 

 
Back to Top

 


 
.