BFP720F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFP720F

Маркировка: R9*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.06 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TSFP4-1

 Аналоги (замена) для BFP720F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP720F даташит

 ..1. Size:512K  infineon
 bfp720f.pdf pdf_icon

BFP720F

BFP720F SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFP720F is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT). Feature list High transition frequency fT = 45 GHz enables low noise figure at high frequencies NFmin = 0.7 dB at 5.5 GHz, 3 V, 5 mA High gain Gms = 21.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 13 mA OIP3 = 21 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 13 mA Product validation Qua

 0.1. Size:696K  infineon
 bfp720fesd.pdf pdf_icon

BFP720F

BFP720FESD SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFP720FESD is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 21 dBm maximum RF input power, 2 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 45 GHz to enable low noise figure at high frequenci

 8.1. Size:522K  infineon
 bfp720esd.pdf pdf_icon

BFP720F

BFP720ESD SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFP720ESD is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 21 dBm maximum RF input power, 2 kV HBM ESD hardness Low noise figure NFmin = 0.65 dB at 2.4 GHz and 0.9 dB at 5.5 GHz, 3 V, 5 mA Hi

 8.2. Size:552K  infineon
 bfp720.pdf pdf_icon

BFP720F

BFP720 SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFP720 is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT). Feature list High transition frequency fT = 45 GHz to enable low noise figure at high frequencies NFmin= 0.7 dB at 5.5 GHz, 3 V, 5 mA High gain Gma = 19.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 13 mA OIP3 = 23 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 13 mA Product validation Qual

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFP540ESD, BFP540FESD, BFP640, BFP640ESD, BFP650, BFP650F, BFP720, BFP720ESD, BC558, BFP720FESD, BFP740ESD, BFP740F, BFP740FESD, BFP760, BFP780, BFP840ESD, BFP840FESD