Биполярный транзистор BFP720F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFP720F
Маркировка: R9*
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.06 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: TSFP4-1
BFP720F Datasheet (PDF)
bfp720f.pdf
BFP720FSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP720F is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT).Feature list High transition frequency fT = 45 GHz enables low noise figure at high frequencies:NFmin = 0.7 dB at 5.5 GHz, 3 V, 5 mA High gain Gms = 21.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 13 mA OIP3 = 21 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 13 mAProduct validationQua
bfp720fesd.pdf
BFP720FESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP720FESD is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 21 dBm maximum RF input power,2 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 45 GHz to enable low noise figure at high frequenci
bfp720esd.pdf
BFP720ESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP720ESD is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 21 dBm maximum RF input power,2 kV HBM ESD hardness Low noise figure NFmin = 0.65 dB at 2.4 GHz and 0.9 dB at 5.5 GHz, 3 V, 5 mA Hi
bfp720.pdf
BFP720SiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP720 is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT).Feature list High transition frequency fT = 45 GHz to enable low noise figure at high frequencies:NFmin= 0.7 dB at 5.5 GHz, 3 V, 5 mA High gain Gma = 19.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 13 mA OIP3 = 23 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 13 mAProduct validationQual
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050