Биполярный транзистор BFP720FESD - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFP720FESD
Маркировка: T3*
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 4.9 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.05 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: TSFP4-1
Аналоги (замена) для BFP720FESD
BFP720FESD Datasheet (PDF)
bfp720fesd.pdf
BFP720FESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP720FESD is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 21 dBm maximum RF input power,2 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 45 GHz to enable low noise figure at high frequenci
bfp720f.pdf
BFP720FSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP720F is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT).Feature list High transition frequency fT = 45 GHz enables low noise figure at high frequencies:NFmin = 0.7 dB at 5.5 GHz, 3 V, 5 mA High gain Gms = 21.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 13 mA OIP3 = 21 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 13 mAProduct validationQua
bfp720esd.pdf
BFP720ESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP720ESD is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 21 dBm maximum RF input power,2 kV HBM ESD hardness Low noise figure NFmin = 0.65 dB at 2.4 GHz and 0.9 dB at 5.5 GHz, 3 V, 5 mA Hi
bfp720.pdf
BFP720SiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP720 is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT).Feature list High transition frequency fT = 45 GHz to enable low noise figure at high frequencies:NFmin= 0.7 dB at 5.5 GHz, 3 V, 5 mA High gain Gma = 19.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 13 mA OIP3 = 23 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 13 mAProduct validationQual
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050