Справочник транзисторов. BFP720FESD

 

Биполярный транзистор BFP720FESD Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFP720FESD
   Маркировка: T3*
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 4.9 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.05 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: TSFP4-1
 

 Аналог (замена) для BFP720FESD

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP720FESD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:696K  infineon
bfp720fesd.pdfpdf_icon

BFP720FESD

BFP720FESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP720FESD is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 21 dBm maximum RF input power,2 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 45 GHz to enable low noise figure at high frequenci

 7.1. Size:512K  infineon
bfp720f.pdfpdf_icon

BFP720FESD

BFP720FSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP720F is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT).Feature list High transition frequency fT = 45 GHz enables low noise figure at high frequencies:NFmin = 0.7 dB at 5.5 GHz, 3 V, 5 mA High gain Gms = 21.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 13 mA OIP3 = 21 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 13 mAProduct validationQua

 8.1. Size:522K  infineon
bfp720esd.pdfpdf_icon

BFP720FESD

BFP720ESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP720ESD is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 21 dBm maximum RF input power,2 kV HBM ESD hardness Low noise figure NFmin = 0.65 dB at 2.4 GHz and 0.9 dB at 5.5 GHz, 3 V, 5 mA Hi

 8.2. Size:552K  infineon
bfp720.pdfpdf_icon

BFP720FESD

BFP720SiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP720 is a wideband NPN RF heterojunction bipolar transistor (HBT).Feature list High transition frequency fT = 45 GHz to enable low noise figure at high frequencies:NFmin= 0.7 dB at 5.5 GHz, 3 V, 5 mA High gain Gma = 19.5 dB at 5.5 GHz, 3 V, 13 mA OIP3 = 23 dBm at 5.5 GHz, 3 V, 13 mAProduct validationQual

Другие транзисторы... BFP540FESD , BFP640 , BFP640ESD , BFP650 , BFP650F , BFP720 , BFP720ESD , BFP720F , 2SD2499 , BFP740ESD , BFP740F , BFP740FESD , BFP760 , BFP780 , BFP840ESD , BFP840FESD , BFP842ESD .

History: BC107AP | SQ3960F

 

 
Back to Top

 


 
.