Справочник транзисторов. BFR740EL3

 

Биполярный транзистор BFR740EL3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BFR740EL3

Маркировка: R2

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 42000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.09 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

Корпус транзистора: TSLP3-10

Аналоги (замена) для BFR740EL3

 

 

BFR740EL3 Datasheet (PDF)

..1. bfr740el3.pdf Size:541K _infineon

BFR740EL3 BFR740EL3

BFR740EL3SiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740EL3 is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless package High

8.1. bfr740l3rh.pdf Size:535K _infineon

BFR740EL3 BFR740EL3

BFR740L3RHSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740L3RH is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless packageProduc

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top