Биполярный транзистор BFR740EL3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BFR740EL3
Маркировка: R2
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 42000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.09 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: TSLP3-10
Аналоги (замена) для BFR740EL3
BFR740EL3 Datasheet (PDF)
bfr740el3.pdf
BFR740EL3SiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740EL3 is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless package High
bfr740l3rh.pdf
BFR740L3RHSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740L3RH is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless packageProduc
Другие транзисторы... 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 , 2SC631 , 2SC631A , 2SC631AS , 2SC632 , 2SC632A , TIP36C , 2SC633A , 2SC634 , 2SC634A , 2SC635 , 2SC636 , 2SC637 , 2SC638 , 2SC639 .
