Справочник транзисторов. BFR740EL3

 

Биполярный транзистор BFR740EL3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BFR740EL3
   Маркировка: R2
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 42000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.09 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: TSLP3-10

 Аналоги (замена) для BFR740EL3

 

 

BFR740EL3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  infineon
bfr740el3.pdf

BFR740EL3
BFR740EL3

BFR740EL3SiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740EL3 is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless package High

 8.1. Size:535K  infineon
bfr740l3rh.pdf

BFR740EL3
BFR740EL3

BFR740L3RHSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740L3RH is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless packageProduc

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top