Справочник транзисторов. BFR740EL3

 

Биполярный транзистор BFR740EL3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFR740EL3
   Маркировка: R2
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.16 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 42000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.09 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: TSLP3-10
 

 Аналог (замена) для BFR740EL3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFR740EL3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  infineon
 bfr740el3.pdf pdf_icon

BFR740EL3

BFR740EL3SiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740EL3 is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless package High

 8.1. Size:535K  infineon
 bfr740l3rh.pdf pdf_icon

BFR740EL3

BFR740L3RHSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740L3RH is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless packageProduc

Другие транзисторы... BFP843 , BFP843F , BFQ790 , BFR193F , BFR193L3 , BFR193W , BFR360L3 , BFR380F , BC556 , BFR740L3RH , BFR840L3RHESD , BFR843EL3 , SMBT3906L3 , LBC856AWT1G , L2SA1037AKQLT3G , L2SA1774QT3G , L2SA1774RT3G .

 

 
Back to Top

 


 
.