BFR740EL3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFR740EL3  📄📄 

Código: R2

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.16 W

Tensión colector-base (Vcb): 13 V

Tensión colector-emisor (Vce): 4 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 42000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.09 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

Encapsulados: TSLP3-10

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BFR740EL3 datasheet

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BFR740EL3

BFR740EL3 SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFR740EL3 is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in a low profile package. Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless package High

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BFR740EL3

BFR740L3RH SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFR740L3RH is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in a low profile package. Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless package Produc

Otros transistores... BFP843, BFP843F, BFQ790, BFR193F, BFR193L3, BFR193W, BFR360L3, BFR380F, BC556, BFR740L3RH, BFR840L3RHESD, BFR843EL3, SMBT3906L3, LBC856AWT1G, L2SA1037AKQLT3G, L2SA1774QT3G, L2SA1774RT3G