BFR740EL3 Todos los transistores

 

BFR740EL3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFR740EL3
   Código: R2
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.16 W
   Tensión colector-base (Vcb): 13 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 4 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 42000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.09 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: TSLP3-10
     - Selección de transistores por parámetros

 

BFR740EL3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  infineon
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BFR740EL3

BFR740EL3SiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740EL3 is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless package High

 8.1. Size:535K  infineon
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BFR740EL3

BFR740L3RHSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740L3RH is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless packageProduc

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History: MRF654 | BC33716TFR | 2SA1837 | 2SC3426 | 2N3636UB

 

 
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