Справочник транзисторов. L2SA812QLT3G

 

Биполярный транзистор L2SA812QLT3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: L2SA812QLT3G
   Маркировка: M8
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для L2SA812QLT3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SA812QLT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  lrc
 l2sa812qlt1g l2sa812qlt3g l2sa812rlt1g l2sa812rlt3g l2sa812slt3g l2sa812slt1g.pdf pdf_icon

L2SA812QLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SA812QLT1G SeriesGeneral Purpose TransistorsFEATURES-L2SA812QLT1G Series High Voltage: VCEO = -50 V. Epitaxial planar type. NPN complement: L2SC16233 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qu

 4.1. Size:187K  lrc
 l2sa812qlt1g.pdf pdf_icon

L2SA812QLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL2SA812QLT1G SeriesFEATURES-L2SA812QLT1G Series High Voltage: VCEO = -50 V. Epitaxial planar type. NPN complement: L2SC1623 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifie

 4.2. Size:193K  lrc
 l2sa812qlt1g l2sa812rlt1g l2sa812slt3g l2sa812slt1g.pdf pdf_icon

L2SA812QLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SA812QLT1G SeriesGeneral Purpose TransistorsFEATURES-L2SA812QLT1G Series High Voltage: VCEO = -50 V. Epitaxial planar type. NPN complement: L2SC16233 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qu

 7.1. Size:191K  lrc
 l2sa812slt1g.pdf pdf_icon

L2SA812QLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsFEATURE L2SA812QLT1G Series High Voltage: VCEO = -50 V.S-L2SA812QLT1G Series Epitaxial planar type. NPN complement: L2SC1623 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BFR840L3RHESD , BFR843EL3 , SMBT3906L3 , LBC856AWT1G , L2SA1037AKQLT3G , L2SA1774QT3G , L2SA1774RT3G , L2SA1774ST3G , 2SC2240 , L2SA812RLT3G , L2SA812SLT3G , L2SC1623QLT3G , L2SC1623RLT3G , L2SC1623SLT3G , L2SC2411KRLT3G , L2SC2412KQLT3G , L2SC2412KRLT3G .

History: FMMTA92 | BFS30P

 

 
Back to Top

 


 
.