L2SA812RLT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: L2SA812RLT3G

Маркировка: M6

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для L2SA812RLT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SA812RLT3G даташит

 ..1. Size:193K  lrc
 l2sa812qlt1g l2sa812qlt3g l2sa812rlt1g l2sa812rlt3g l2sa812slt3g l2sa812slt1g.pdf pdf_icon

L2SA812RLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SA812QLT1G Series General Purpose Transistors FEATURE S-L2SA812QLT1G Series High Voltage VCEO = -50 V. Epitaxial planar type. NPN complement L2SC1623 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qu

 4.1. Size:193K  lrc
 l2sa812rlt1g.pdf pdf_icon

L2SA812RLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SA812QLT1G Series General Purpose Transistors FEATURE S-L2SA812QLT1G Series High Voltage VCEO = -50 V. Epitaxial planar type. NPN complement L2SC1623 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qu

 4.2. Size:193K  lrc
 l2sa812qlt1g l2sa812rlt1g l2sa812slt3g l2sa812slt1g.pdf pdf_icon

L2SA812RLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SA812QLT1G Series General Purpose Transistors FEATURE S-L2SA812QLT1G Series High Voltage VCEO = -50 V. Epitaxial planar type. NPN complement L2SC1623 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qu

 7.1. Size:191K  lrc
 l2sa812slt1g.pdf pdf_icon

L2SA812RLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors FEATURE L2SA812QLT1G Series High Voltage VCEO = -50 V. S-L2SA812QLT1G Series Epitaxial planar type. NPN complement L2SC1623 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFR843EL3, SMBT3906L3, LBC856AWT1G, L2SA1037AKQLT3G, L2SA1774QT3G, L2SA1774RT3G, L2SA1774ST3G, L2SA812QLT3G, BC556, L2SA812SLT3G, L2SC1623QLT3G, L2SC1623RLT3G, L2SC1623SLT3G, L2SC2411KRLT3G, L2SC2412KQLT3G, L2SC2412KRLT3G, L2SC2412KSLT3G