L2SC3356LT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: L2SC3356LT3G

Маркировка: R24

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для L2SC3356LT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SC3356LT3G даташит

 ..1. Size:140K  lrc
 l2sc3356lt1g l2sc3356lt3g.pdf pdf_icon

L2SC3356LT3G

DATA SHEET LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SC3356LT1G DESCRIPTION The L2SC3356LT1 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356LT1G low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has dynamic range and good current characteristic. 3 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capab

 4.1. Size:140K  lrc
 l2sc3356lt1g.pdf pdf_icon

L2SC3356LT3G

DATA SHEET LESHAN RADIO COMPANY, LTD. L2SC3356LT1G DESCRIPTION The L2SC3356LT1 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356LT1G low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has dynamic range and good current characteristic. 3 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capab

 6.1. Size:167K  lrc
 l2sc3356wt1g.pdf pdf_icon

L2SC3356LT3G

DATA SHEET LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DESCRIPTION L2SC3356WT1G The L2SC3356WT1is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356WT1G low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has dynamic range and good current characteristic. 3 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.

 6.2. Size:167K  lrc
 l2sc3356wt1g l2sc3356wt3g.pdf pdf_icon

L2SC3356LT3G

DATA SHEET LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DESCRIPTION L2SC3356WT1G The L2SC3356WT1is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356WT1G low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has dynamic range and good current characteristic. 3 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: L2SA812SLT3G, L2SC1623QLT3G, L2SC1623RLT3G, L2SC1623SLT3G, L2SC2411KRLT3G, L2SC2412KQLT3G, L2SC2412KRLT3G, L2SC2412KSLT3G, 431, L2SC3356WT3G, L2SC3838LT3G, L2SC4081QT3G, L2SC4081RT3G, L2SC4081ST3G, L2SC4617QT3G, L2SC4617RT3G, L2SC4617ST3G