LBC850BLT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LBC850BLT3G

Маркировка: 2F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для LBC850BLT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBC850BLT3G даташит

 ..1. Size:402K  lrc
 lbc848blt3g lbc848clt1g lbc848clt3g lbc849blt1g lbc849blt3g lbc849clt1g lbc849clt3g lbc850blt1g lbc850blt3g lbc850clt1g lbc850clt3g lbc848blt1g.pdf pdf_icon

LBC850BLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 3 and Control C

 ..2. Size:404K  lrc
 lbc849clt1g lbc849clt3g lbc850blt1g lbc850blt3g lbc850clt1g lbc850clt3g.pdf pdf_icon

LBC850BLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G S-LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Chang

 ..3. Size:227K  lrc
 lbc848blt1g lbc848blt3g lbc848clt1g lbc848clt3g lbc849blt1g lbc849blt3g lbc849clt1g lbc849clt3g lbc850blt1g lbc850blt3g lbc850clt1g lbc850clt3g.pdf pdf_icon

LBC850BLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon LBC846ALT1G Moisture Sensitivity Level 1 Series ESD Rating Human Body Model >4000 V ESD Rating Machine Model >400 V We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO Vdc SOT 23 LBC846 6

 5.1. Size:402K  lrc
 lbc850blt1g.pdf pdf_icon

LBC850BLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon Moisture Sensitivity Level 1 LBC846ALT1G ESD Rating Human Body Model >4000 V S-LBC846ALT1G ESD Rating Machine Model >400 V Series We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Cha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LBC848BPDW1T3G, LBC848CDW1T3G, LBC848CLT3G, LBC848CPDW1T3G, LBC849BLT1G, LBC849BLT3G, LBC849CLT1G, LBC849CLT3G, 13005, LBC850CLT3G, LBC856ADW1T1G, LBC856ALT3G, LBC856BLT3G, LBC857ATT1G, LBC857BLT3G, LBC857CTT1G, LBC858BLT3G