2SA1201 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1201  📄📄 

Маркировка: DO_DY

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 27 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC62

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1201

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1201 даташит

 ..1. Size:151K  toshiba
2sa1201.pdfpdf_icon

2SA1201

2SA1201 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1201 Voltage Amplifier Applications Unit mm Power Amplifier Applications High voltage VCEO = -120 V High transition frequency f = 120 MHz (typ.) T Small flat package P C = 1 to 2 W (mounted on ceramic substrate) Complementary to 2SC2881 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteri

 ..2. Size:81K  utc
2sa1201.pdfpdf_icon

2SA1201

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1201 Preliminary PNP SILICON TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1201 is designed for power amplifier and voltage amplifier applications. FEATURES *High voltage VCEO= -120V *High transition frequency fT=120MHz(typ.) *Pc=1 to 2 W(mounted on ceramic substrate) ORDERING INFORMATION Ordering Numb

 ..3. Size:228K  secos
2sa1201.pdfpdf_icon

2SA1201

2SA1201 PNP Silicon Elektronische Bauelemente Epitaxial Planar Transistor RoHS Compliant Product SOT-89 FEATURES E C B High voltage High transition frequency Complementary to 2SC2881 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO -120 Collector-Base Voltage V VCEO -120 Collector-Emitter Voltage V Millimeter Millimeter REF.

 ..4. Size:880K  jiangsu
2sa1201.pdfpdf_icon

2SA1201

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SA1201 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES High voltage 2. COLLECTOR High transition frequency Complementary to 2SC2881 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO -120 Collector-Base Voltage V VCEO -120

Другие транзисторы: 2SA1197, 2SA1198, 2SA1198S, 2SA1199, 2SA1199S, 2SA12, 2SA120, 2SA1200, BC327, 2SA1202, 2SA1203, 2SA1204, 2SA1205, 2SA1206, 2SA1207, 2SA1207R, 2SA1207S