Биполярный транзистор LBSS4250Y3T1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LBSS4250Y3T1G
Маркировка: G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 360 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SOT89
- подбор биполярного транзистора по параметрам
LBSS4250Y3T1G Datasheet (PDF)
lbss4250y3t1g.pdf

LBSS4250Y3T1GS-LBSS4250Y3T1G1NPN 2.0A 50V Middle Power Transistor231. FEATURESSuitable for Middle Power DriverSOT89Complementary NPN TypesLow VCE(sat)We declare that the material of product compliance with2 RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring1unique site and control change requireme
lbss4240lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose Transistors40V,2A Low VCE(sat) NPN SiliconFEATURES Low collector-emitter saturation voltage High current capability Improved device reliability due to reduced heat generation LBSS4240LT1G Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged S-LBSS4240LT1G transistors.3 We declare that the material of product complian
lbss4240lt1g lbss4240lt3g.pdf

LBSS4240LT1GS-LBSS4240LT1GGeneral Purpose Transistors NPN Silicon1. FEATURESLow collector-emitter saturation voltageHigh current capabilityImproved device reliability due to reduced heat generationWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiringSOT23
lbss4350sy3t1g.pdf

LBSS4350SY3T1GS-LBSS4350SY3T1GNPN TRANSISTOR121. FEATURES3Low collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed.SOT89Large current capacity and wide ASO.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.2S- prefix for automotive and other applications requiringunique site and control chang
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: PN2222-H | 2SD1138 | L8550PLT3G | 2SC3357D | A966Y | 2SC3837
History: PN2222-H | 2SD1138 | L8550PLT3G | 2SC3357D | A966Y | 2SC3837



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940