LBTP460Z4TZHG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LBTP460Z4TZHG

Маркировка: PD

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 102 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 66.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для LBTP460Z4TZHG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBTP460Z4TZHG даташит

 ..1. Size:834K  lrc
 lbtp460z4tzhg.pdf pdf_icon

LBTP460Z4TZHG

LBTP460Z4TZHG S-LBTP460Z4TZHG 60 V PNP TRANSISTOR 1. FEATURES Low collector-emitter saturation voltage High collector current capability High collector current gain High efficiency due to less heat generation Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) SOT223 MM >400V, HBM >8000V We declare that the material of product compliance with RoHS requirements an

Другие транзисторы: LBSS4250Y3T1G, LBSS4350SY3T1G, LBSS5240LT3G, LBSS5250Y3T1G, LBSS5350SY3T1G, LBTN180Y3T1G, LBTN180Z4TZHG, LBTP180Y3T1G, S9018, LDTA114EET1G, LDTA114TET1G, LDTA114YET1G, LDTA115EET1G, LDTA123EET1G, LDTA123JET1G, LDTA124EET1G, LDTA124XET1G