LH8550QLT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LH8550QLT3G

Маркировка: KIY

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для LH8550QLT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LH8550QLT3G даташит

 ..1. Size:138K  lrc
 lh8550plt1g lh8550plt3g lh8550qlt1g lh8550qlt3g.pdf pdf_icon

LH8550QLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8550PLT1G PNP Silicon Series FEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package. Series IC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement LH8550 3 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1 Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 5.1. Size:138K  lrc
 lh8550qlt1g.pdf pdf_icon

LH8550QLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8550PLT1G PNP Silicon Series FEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package. Series IC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement LH8550 3 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1 Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 5.2. Size:138K  lrc
 lh8550plt1g lh8550qlt1g.pdf pdf_icon

LH8550QLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8550PLT1G PNP Silicon Series FEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package. Series IC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement LH8550 3 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1 Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 8.1. Size:157K  lrc
 lh8550plt1g.pdf pdf_icon

LH8550QLT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LH8550PLT1G PNP Silicon Series FEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package. Series IC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement LH8550 3 Pb-Free Package is available. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1 Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LDTA144EET1G, LDTA144WET1G, LDTC144WM3T5G, LDTD123YLT1G, LDTD123YLT3G, LH8050PLT3G, LH8050QLT3G, LH8550PLT3G, C1815, LMBT2222ADW1T3G, LMBT2222ALT3G, LMBT2222ATT3G, LMBT2907ALT3G, LMBT2907AWT3G, LMBT2907LT1G, LMBT2907LT3G, LMBT3904DW1T3G