Справочник транзисторов. LMBT3904DW1T3G

 

Биполярный транзистор LMBT3904DW1T3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LMBT3904DW1T3G
   Маркировка: MA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT363
 

 Аналог (замена) для LMBT3904DW1T3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT3904DW1T3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  lrc
lmbt3904dw1t1g lmbt3904dw1t3g.pdfpdf_icon

LMBT3904DW1T3G

LMBT3904DW1T1GS-LMBT3904DW1T1GGeneral Purpose Transistors NPN Silicon1. FEATURESWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable.Low VCE(sat), 0.4 VSimplifi

 2.1. Size:506K  lrc
lmbt3904dw1t1g.pdfpdf_icon

LMBT3904DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose Transistors The LMBT3904DW1T1G device is a spinoff of our popularLMBT3904DW1T1GSOT23/SOT323 threeleaded device. It is designed for generalpurpose amplifier applications and is housed in the SOT363S-LMBT3904DW1T1Gsixleaded surface mount package. By putting two discrete devicesin one package , this device is ideal fo

 6.1. Size:414K  lrc
lmbt3904n3t5g.pdfpdf_icon

LMBT3904DW1T3G

LMBT3904N3T5GS-LMBT3904N3T5GGeneral Purpose Transistors NPN Silicon1. FEATURES We declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SOT883 qualified and PPAP capable.2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Mar

 6.2. Size:590K  lrc
lmbt3904lt1g.pdfpdf_icon

LMBT3904DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconFEATURESLMBT3904LT1G1) We declare that the material of product compliant with RoHS requirements and Halogen Free.S-LMBT3904LT1G2) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013 Qualified and PPAP Capable. DEVICE MARKING AND RESISTOR VALU

Другие транзисторы... LH8550QLT3G , LMBT2222ADW1T3G , LMBT2222ALT3G , LMBT2222ATT3G , LMBT2907ALT3G , LMBT2907AWT3G , LMBT2907LT1G , LMBT2907LT3G , BC337 , LMBT3904LT3G , LMBT3904TT3G , LMBT3904WT3G , LMBT3906LT3G , LMBT3906N3T5G , LMBT3906TT3G , LMBT3906WT3G , LMBT3946DW1T1G .

 

 
Back to Top

 


 
.