Справочник транзисторов. LMBT3906TT3G

 

Биполярный транзистор LMBT3906TT3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LMBT3906TT3G
   Маркировка: 2A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC89
 

 Аналог (замена) для LMBT3906TT3G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT3906TT3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  lrc
lmbt3906tt1g lmbt3906tt3g.pdfpdf_icon

LMBT3906TT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP SiliconFEATURE Simplifies Circuit Design. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.LMBT3906TT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LMBT3906TT1GORDERING INFORMATIONDevice Mark

 4.1. Size:203K  lrc
lmbt3906tt1g.pdfpdf_icon

LMBT3906TT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP SiliconFEATURE Simplifies Circuit Design. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.LMBT3906TT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LMBT3906TT1GORDERING INFORMATIONDevice Mark

 6.1. Size:1148K  lrc
lmbt3906n3t5g.pdfpdf_icon

LMBT3906TT3G

LMBT3906N3T5G3S-LMBT3906N3T5G1General Purpose Transistors PNP Silicon21. FEATURES We declare that the material of product compliance withSOT883RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. COLLECTOR32. DEVICE MARKING AND ORDERING INF

 6.2. Size:357K  lrc
lmbt3906lt1g lmbt3906lt3g.pdfpdf_icon

LMBT3906TT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.LMBT3906LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LMBT3906LT1GORDERING INFORMATION3Device Marking ShippingLMBT3906LT1G 2A3000

Другие транзисторы... LMBT2907LT1G , LMBT2907LT3G , LMBT3904DW1T3G , LMBT3904LT3G , LMBT3904TT3G , LMBT3904WT3G , LMBT3906LT3G , LMBT3906N3T5G , A1941 , LMBT3906WT3G , LMBT3946DW1T1G , LMBT3946DW1T3G , LMBT4401LT3G , LMBT4401WT3G , LMBT4403LT3 , LMBT5401DW1T3G , LMBT5401LT3G .

 

 
Back to Top

 


 
.