LMBT3906TT3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LMBT3906TT3G

Маркировка: 2A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC89

 Аналоги (замена) для LMBT3906TT3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT3906TT3G даташит

 ..1. Size:203K  lrc
 lmbt3906tt1g lmbt3906tt3g.pdf pdf_icon

LMBT3906TT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE Simplifies Circuit Design. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT3906TT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT3906TT1G ORDERING INFORMATION Device Mark

 4.1. Size:203K  lrc
 lmbt3906tt1g.pdf pdf_icon

LMBT3906TT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE Simplifies Circuit Design. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT3906TT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT3906TT1G ORDERING INFORMATION Device Mark

 6.1. Size:1148K  lrc
 lmbt3906n3t5g.pdf pdf_icon

LMBT3906TT3G

LMBT3906N3T5G 3 S-LMBT3906N3T5G 1 General Purpose Transistors PNP Silicon 2 1. FEATURES We declare that the material of product compliance with SOT883 RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. COLLECTOR 3 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INF

 6.2. Size:357K  lrc
 lmbt3906lt1g lmbt3906lt3g.pdf pdf_icon

LMBT3906TT3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT3906LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LMBT3906LT1G ORDERING INFORMATION 3 Device Marking Shipping LMBT3906LT1G 2A 3000

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LMBT2907LT1G, LMBT2907LT3G, LMBT3904DW1T3G, LMBT3904LT3G, LMBT3904TT3G, LMBT3904WT3G, LMBT3906LT3G, LMBT3906N3T5G, D882, LMBT3906WT3G, LMBT3946DW1T1G, LMBT3946DW1T3G, LMBT4401LT3G, LMBT4401WT3G, LMBT4403LT3, LMBT5401DW1T3G, LMBT5401LT3G