Биполярный транзистор LMBT5541DW1T3G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LMBT5541DW1T3G
Маркировка: GL
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT363
- подбор биполярного транзистора по параметрам
LMBT5541DW1T3G Datasheet (PDF)
lmbt5541dw1t1g lmbt5541dw1t3g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTORLMBT5541DW1T1GS-LMBT5541DW1T1GFEATURE We declare that the material of product is ROHS compliant and halogen free. 65 4S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIO
lmbt5541dw1t1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTORLMBT5541DW1T1GS-LMBT5541DW1T1GFEATURE We declare that the material of product is ROHS compliant and halogen free. 65 4S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIO
lmbt5551dw1t1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTORLMBT5551DW1T1GFEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT5551DW1T1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.6DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION54De
lmbt5550lt1g lmbt5551lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage TransistorsFEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT5550LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique LMBT5551LT1GSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and S-LMBT5550LT1GPPAP Capable.S-LMBT5551LT1GDEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION3
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2SB138A | 2SB1276



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60