LMBT5541DW1T3G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LMBT5541DW1T3G

Маркировка: GL

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для LMBT5541DW1T3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT5541DW1T3G даташит

 ..1. Size:281K  lrc
 lmbt5541dw1t1g lmbt5541dw1t3g.pdf pdf_icon

LMBT5541DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR LMBT5541DW1T1G S-LMBT5541DW1T1G FEATURE We declare that the material of product is ROHS compliant and halogen free. 6 5 4 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIO

 2.1. Size:281K  lrc
 lmbt5541dw1t1g.pdf pdf_icon

LMBT5541DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR LMBT5541DW1T1G S-LMBT5541DW1T1G FEATURE We declare that the material of product is ROHS compliant and halogen free. 6 5 4 S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIO

 8.1. Size:135K  lrc
 lmbt5551dw1t1g.pdf pdf_icon

LMBT5541DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR LMBT5551DW1T1G FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT5551DW1T1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 6 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 5 4 De

 8.2. Size:166K  lrc
 lmbt5550lt1g lmbt5551lt1g.pdf pdf_icon

LMBT5541DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistors FEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT5550LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique LMBT5551LT1G Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and S-LMBT5550LT1G PPAP Capable. S-LMBT5551LT1G DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LMBT3906WT3G, LMBT3946DW1T1G, LMBT3946DW1T3G, LMBT4401LT3G, LMBT4401WT3G, LMBT4403LT3, LMBT5401DW1T3G, LMBT5401LT3G, 13003, LMBT5550LT1G, LMBT5550LT3G, LMBT5551DW1T3G, LMBT5551LT3G, LMBT6428LT3G, LMBT6517LT3G, LMBT6520LT3G, LMBTA42LT3G