Справочник транзисторов. LMBT5541DW1T3G

 

Биполярный транзистор LMBT5541DW1T3G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LMBT5541DW1T3G
   Маркировка: GL
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

LMBT5541DW1T3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  lrc
lmbt5541dw1t1g lmbt5541dw1t3g.pdfpdf_icon

LMBT5541DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTORLMBT5541DW1T1GS-LMBT5541DW1T1GFEATURE We declare that the material of product is ROHS compliant and halogen free. 65 4S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIO

 2.1. Size:281K  lrc
lmbt5541dw1t1g.pdfpdf_icon

LMBT5541DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.DUAL SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTORLMBT5541DW1T1GS-LMBT5541DW1T1GFEATURE We declare that the material of product is ROHS compliant and halogen free. 65 4S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIO

 8.1. Size:135K  lrc
lmbt5551dw1t1g.pdfpdf_icon

LMBT5541DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTORLMBT5551DW1T1GFEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT5551DW1T1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.6DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION54De

 8.2. Size:166K  lrc
lmbt5550lt1g lmbt5551lt1g.pdfpdf_icon

LMBT5541DW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage TransistorsFEATURE We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LMBT5550LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique LMBT5551LT1GSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and S-LMBT5550LT1GPPAP Capable.S-LMBT5551LT1GDEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION3

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SB138A | 2SB1276

 

 
Back to Top

 


 
.