LMBT6520LT3G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: LMBT6520LT3G
Маркировка: 2Z
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LMBT6520LT3G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LMBT6520LT3G даташит
lmbt6520lt1g lmbt6520lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor PNP Silicon LMBT6520LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT6520LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 Ordering Information 1 Device Marking Shipping 2 LMBT6520LT1G 3000/Tape&
lmbt6520lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor PNP Silicon LMBT6520LT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBT6520LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 Ordering Information 1 Device Marking Shipping 2 LMBT6520LT1G 3000/Tape&
lmbt6517lt1g lmbt6517lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistors NPN Silicon LMBT6517LT1G We declare that the material of product S-LMBT6517LT1G compliance with RoHS requirements. Ordering Information 3 Device Marking Shipping LMBT6 517LT1G 3000/Tape&Reel 1Z S-LMBT6 517LT1G 1 LMBT6517LT3G 10000/Tape&Reel 1Z 2 S-LMBT6517LT3G SOT 23 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 3 COLLECTO
lmbt6517lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistors NPN Silicon LMBT6517LT1G We declare that the material of product S-LMBT6517LT1G compliance with RoHS requirements. Ordering Information 3 Device Marking Shipping LMBT6 517LT1G 3000/Tape&Reel 1Z S-LMBT6 517LT1G 1 LMBT6517LT3G 10000/Tape&Reel 1Z 2 S-LMBT6517LT3G SOT 23 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 3 COLLECTO
Другие транзисторы: LMBT5401LT3G, LMBT5541DW1T3G, LMBT5550LT1G, LMBT5550LT3G, LMBT5551DW1T3G, LMBT5551LT3G, LMBT6428LT3G, LMBT6517LT3G, 2SC4793, LMBTA42LT3G, LMBTA43LT3G, LMBTA56LT3G, LMBTA92LT3G, LMBTA93LT1G, LMBTA93LT3G, LMBTH10LT3G, SL9013SLT3G
History: GC122 | GC118 | GD241A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883




