Биполярный транзистор LMBTA42LT3G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LMBTA42LT3G
Маркировка: 1D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для LMBTA42LT3G
LMBTA42LT3G Datasheet (PDF)
lmbta42lt1g lmbta42lt3g lmbta43lt1g lmbta43lt3g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage Transistors We declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.LMBTA42LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique LMBTA43LT1GSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LMBTA42LT1GDEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Marking Package Shipping S-LMB
lmbta42lt1g lmbta43lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage Transistors We declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.LMBTA42LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique LMBTA43LT1GSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LMBTA42LT1GDEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Marking Package Shipping S-LMB
lmbta42lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage Transistors We declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.LMBTA42LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique LMBTA43LT1GSite and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LMBTA42LT1GDEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONDevice Marking Package Shipping S-LMB
lmbta44lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LMBTA44LT1G LMBTA44LT1GS-LMBTA44LT1GNPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORWe declare that the material of productcompliance with RoHS requirements.3DescriptionThe LMBTA44LT1G is designed for application 1that requires high voltage.2Features High Breakdown Voltage: VCEO=400(Min.) at IC=1mASOT 23 Complementary to LMBTA94LT1G S- Prefix
Другие транзисторы... LMBT5541DW1T3G , LMBT5550LT1G , LMBT5550LT3G , LMBT5551DW1T3G , LMBT5551LT3G , LMBT6428LT3G , LMBT6517LT3G , LMBT6520LT3G , 2SA1837 , LMBTA43LT3G , LMBTA56LT3G , LMBTA92LT3G , LMBTA93LT1G , LMBTA93LT3G , LMBTH10LT3G , SL9013SLT3G , 2SA1012B .
History: LBC846BPDW1T3G | KRX205U | FE4021 | 2SC900
History: LBC846BPDW1T3G | KRX205U | FE4021 | 2SC900



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet