LMBTA93LT3G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: LMBTA93LT3G
Маркировка: 2E
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для LMBTA93LT3G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
LMBTA93LT3G даташит
lmbta92lt1g lmbta92lt3g lmbta93lt1g lmbta93lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor PNP Silicon LMBTA92LT1G FEATURE LMBTA93LT1G High voltage. S-LMBTA92LT1G For Telephony or Professional communication equipment applications. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBTA93LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requireme
lmbta92lt1g lmbta93lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor PNP Silicon LMBTA92LT1G FEATURE LMBTA93LT1G High voltage. S-LMBTA92LT1G For Telephony or Professional communication equipment applications. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBTA93LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requireme
lmbta92lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor PNP Silicon LMBTA92LT1G FEATURE LMBTA93LT1G High voltage. S-LMBTA92LT1G For Telephony or Professional communication equipment applications. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LMBTA93LT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requireme
Другие транзисторы: LMBT6428LT3G, LMBT6517LT3G, LMBT6520LT3G, LMBTA42LT3G, LMBTA43LT3G, LMBTA56LT3G, LMBTA92LT3G, LMBTA93LT1G, 2SA1837, LMBTH10LT3G, SL9013SLT3G, 2SA1012B, 3DD13001B, 3DD13003N3, 3DD13005ND66, 3DD13007N36F, AD-2SC2412-Q
History: EMD72
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet




