AD-MMBT5551 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AD-MMBT5551

Маркировка: G1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для AD-MMBT5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

AD-MMBT5551 даташит

 ..1. Size:651K  jiangsu
 ad-mmbt5551.pdf pdf_icon

AD-MMBT5551

www.jscj-elec.com AD-MMBT5551 series JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBT5551 Series Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBT5551 series Transistor (NPN) FEATURES Complementary to AD-MMBT5401 series Ideal for medium power amplification and switching AEC-Q101 qualified MARKING G1 = Device code G1 EQUIVALENT CIRCUIT 3 1 2 Versio

 6.1. Size:640K  jiangsu
 ad-mmbt5401.pdf pdf_icon

AD-MMBT5551

www.jscj-elec.com AD-MMBT5401 series JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBT5401 series Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBT5401 series Transistor (PNP) FEATURES Complementary to AD-MMBT5551 series For medium power amplification and switching AEC-Q101 qualified MARKING 2L = Device code 2L Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec

 7.1. Size:627K  jiangsu
 ad-mmbta56.pdf pdf_icon

AD-MMBT5551

www.jscj-elec.com AD-MMBTA56 JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBTA56 Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBTA56 Transistor (PNP) FEATURES General purpose amplifier applications AEC-Q101 qualified MARKING 2GM = Device code 2GM Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-MMBTA56 MAXIMUM RATINGS (T = 25 C unless otherwise specifie

 7.2. Size:645K  jiangsu
 ad-mmbta28.pdf pdf_icon

AD-MMBT5551

www.jscj-elec.com AD-MMBTA28 JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBTA28 Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBTA28 Transistor (NPN) FEATURES High current gain AEC-Q101 qualified MARKING 3SS = Device code 3SS EQUIVALENT CIRCUIT 3 1 2 Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-MMBTA28 MAXIMUM RATINGS (T = 25 C unless otherw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: AD-FMMT591, AD-KSA1182-O, AD-KSA1182-Y, AD-KTA1505-O, AD-KTA1505-Y, AD-KTA1505-GR, AD-MMBT3906, AD-MMBT5401, 2SD669, AD-MMBTA28, AD-MMBTA56, AD-SS8550-L, AD-SS8550-H, AD-SS8550-J, CJ2045, MMBT2222AM, MMDT9014