Справочник транзисторов. AD-MMBT5551

 

Биполярный транзистор AD-MMBT5551 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: AD-MMBT5551
   Маркировка: G1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

AD-MMBT5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:651K  jiangsu
 ad-mmbt5551.pdf pdf_icon

AD-MMBT5551

www.jscj-elec.com AD-MMBT5551 series JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBT5551 Series Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBT5551 series Transistor (NPN) FEATURES Complementary to AD-MMBT5401 series Ideal for medium power amplification and switching AEC-Q101 qualified MARKING G1 = Device code G1 EQUIVALENT CIRCUIT 3 1 2 Versio

 6.1. Size:640K  jiangsu
 ad-mmbt5401.pdf pdf_icon

AD-MMBT5551

www.jscj-elec.com AD-MMBT5401 series JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBT5401 series Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBT5401 series Transistor (PNP) FEATURES Complementary to AD-MMBT5551 series For medium power amplification and switching AEC-Q101 qualified MARKING 2L = Device code 2L Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec

 7.1. Size:627K  jiangsu
 ad-mmbta56.pdf pdf_icon

AD-MMBT5551

www.jscj-elec.com AD-MMBTA56 JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBTA56 Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBTA56 Transistor (PNP) FEATURES General purpose amplifier applications AEC-Q101 qualified MARKING 2GM = Device code 2GM Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-MMBTA56 MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise specifie

 7.2. Size:645K  jiangsu
 ad-mmbta28.pdf pdf_icon

AD-MMBT5551

www.jscj-elec.com AD-MMBTA28 JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-MMBTA28 Plastic-Encapsulated Transistor AD-MMBTA28 Transistor (NPN) FEATURES High current gain AEC-Q101 qualified MARKING 3SS = Device code 3SS EQUIVALENT CIRCUIT 3 1 2 Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-MMBTA28 MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: MPSH55 | 5302D | GA4F3P | HUN5132 | KT981A | 2SC288A | DRC4144W

 

 
Back to Top

 


 
.