Справочник транзисторов. H8550D

 

Биполярный транзистор H8550D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H8550D
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для H8550D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H8550D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:848K  kexin
h8550d.pdfpdf_icon

H8550D

SMD Type TransistorsPNP TransistorsH8550D Features1.70 0.1 Collector Power Dissipation: PC=0.5W Collector Current: IC=-1.5A0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -40 VCollector-emitter voltage VCEO -25 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -1

 9.1. Size:138K  lrc
lh8550plt1g lh8550plt3g lh8550qlt1g lh8550qlt3g.pdfpdf_icon

H8550D

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 9.2. Size:138K  lrc
lh8550qlt1g.pdfpdf_icon

H8550D

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 9.3. Size:138K  lrc
lh8550plt1g lh8550qlt1g.pdfpdf_icon

H8550D

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

Другие транзисторы... MMDT9015 , TK3904LED03 , S8550L , S8550H , JZT955 , 2SC3356-R25 , 2SB772SQ , 2SD882SQ , BD777 , KST8050D , KST8550D , 3DD13005ED-V , 3DD13005ED-F , 3DD13005ED-B , 3DD13005ED-S , 3DD13005ED-C , 3DD13005ED-R .

History: BD510-1 | NR431FG | LDTA113ZET1G | SRC1205M

 

 
Back to Top

 


 
.