KST8550D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KST8550D

Маркировка: Y2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KST8550D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST8550D даташит

 ..1. Size:1309K  kexin
 kst8550d.pdf pdf_icon

KST8550D

SMD Type Transistors SMD Type PNP Transistors KST8550D SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features 1 2 Collector Current IC=-1.5A +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter-Base Voltage

 0.1. Size:1283K  kexin
 kst8550d-50.pdf pdf_icon

KST8550D

SMD Type Transistors SMD Type PNP Transistors KST8550D-50 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current Capability IC=-1.2A Collector Emitter Voltage VCEO=-50V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V C

 7.1. Size:976K  kexin
 kst8550s.pdf pdf_icon

KST8550D

SMD Type Transistors SMD Type PNP Transistors KST8550S SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector current IC-=0.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter-Base Voltage V

 7.2. Size:1092K  kexin
 kst8550.pdf pdf_icon

KST8550D

SMD Type Transistors SMD Type PNP Transistors KST8550 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current IC=-1.5A 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter-Base Voltage VEB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: S8550L, S8550H, JZT955, 2SC3356-R25, 2SB772SQ, 2SD882SQ, H8550D, KST8050D, BD222, 3DD13005ED-V, 3DD13005ED-F, 3DD13005ED-B, 3DD13005ED-S, 3DD13005ED-C, 3DD13005ED-R, 3DD13005ED-U, 3DD13005ED-M