K8050S-D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: K8050S-D

Маркировка: KL9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для K8050S-D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K8050S-D даташит

 8.1. Size:945K  kodenshi
 k8050s.pdf pdf_icon

K8050S-D

K8050S NPN Silicon Transistor 2018.09.07 2018.09.07 2018.09.07 2018.09.07 1 000 2017.11.02 2 001 2018.08.22 3 TAPING 003 2018.09.07 K8050S NPN S

Другие транзисторы: 3DD4613H-V, 3DD4617H-R, 3DD4617H-U, 3DD4617H-M, 3DD4617H-V, 3DD4617H-C, K8050S-B, K8050S-C, BD135, K8550S-C, K8550S-D, K8550S-E, KA1980S-O, KA1980S-Y, KA1980S-G, KA1980S-L, KBC807-16