Справочник транзисторов. K8550S-E

 

Биполярный транзистор K8550S-E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: K8550S-E
   Маркировка: KVA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 280
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для K8550S-E

 

 

K8550S-E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:982K  kodenshi
 k8550s.pdf

K8550S-E K8550S-E

K8550S PNP Silicon Transistor Descriptions PIN Connection General purpose Bipolar Transistor Features Large collector current Suitable for low-Voltage operation because of Its low saturation voltage Complementary pair with K8050S Ordering Information Type NO. Marking Package Code KV K8550S SOT-23 Device Code HFE Grade

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 

Back to Top