Справочник транзисторов. KA1980S-G

 

Биполярный транзистор KA1980S-G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KA1980S-G

Маркировка: CAG*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для KA1980S-G

 

 

KA1980S-G Datasheet (PDF)

 7.1. Size:640K  kodenshi
ka1980s.pdf

KA1980S-G
KA1980S-G

KA1980S PNP Silicon Transistor Description PIN Connection General small signal amplifier Features Low collector saturation voltage: VCE(sat)=-0.3V(Max.) Low output capacitance : Cob=4pF(Typ.) Complementary pair with KC5343S Ordering Information Type NO. Marking Package Code CA KA1980S SOT-23 Device Code HFE Grade Yea

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2SA1943 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top