KA1980S-G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KA1980S-G  📄📄 

Маркировка: CAG*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KA1980S-G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KA1980S-G даташит

 7.1. Size:640K  kodenshi
 ka1980s.pdf pdf_icon

KA1980S-G

KA1980S PNP Silicon Transistor Description PIN Connection General small signal amplifier Features Low collector saturation voltage VCE(sat)=-0.3V(Max.) Low output capacitance Cob=4pF(Typ.) Complementary pair with KC5343S Ordering Information Type NO. Marking Package Code CA KA1980S SOT-23 Device Code HFE Grade Yea

Другие транзисторы: K8050S-B, K8050S-C, K8050S-D, K8550S-C, K8550S-D, K8550S-E, KA1980S-O, KA1980S-Y, BC558, KA1980S-L, KBC807-16, KBC807-25, KBC807-40, KBC817-16, KBC817-25, KBC817-40, KBT2222AC