Справочник транзисторов. KA1980S-G

 

Биполярный транзистор KA1980S-G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KA1980S-G
   Маркировка: CAG*
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для KA1980S-G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KA1980S-G Datasheet (PDF)

 7.1. Size:640K  kodenshi
 ka1980s.pdf pdf_icon

KA1980S-G

KA1980S PNP Silicon Transistor Description PIN Connection General small signal amplifier Features Low collector saturation voltage: VCE(sat)=-0.3V(Max.) Low output capacitance : Cob=4pF(Typ.) Complementary pair with KC5343S Ordering Information Type NO. Marking Package Code CA KA1980S SOT-23 Device Code HFE Grade Yea

Другие транзисторы... K8050S-B , K8050S-C , K8050S-D , K8550S-C , K8550S-D , K8550S-E , KA1980S-O , KA1980S-Y , TIP42 , KA1980S-L , KBC807-16 , KBC807-25 , KBC807-40 , KBC817-16 , KBC817-25 , KBC817-40 , KBT2222AC .

History: FTC3203

 

 
Back to Top

 


 
.