BC856BM3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC856BM3

Маркировка: 3B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.265 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 220

Корпус транзистора: SOT723

 Аналоги (замена) для BC856BM3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC856BM3 даташит

 ..1. Size:160K  onsemi
 bc856bm3 nsvbc856bm3.pdf pdf_icon

BC856BM3

BC856BM3, NSVBC856BM3 General Purpose Transistor PNP Silicon This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-723 which is designed for low power surface mount applications. http //onsemi.com Features COLLECTOR NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 3 Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualifie

 0.1. Size:57K  onsemi
 bc856bm3t5g.pdf pdf_icon

BC856BM3

EMT1DXV6 Dual General Purpose Transistor PNP Dual This transistor is designed for general purpose amplifier http //onsemi.com applications. It is housed in the SOT-563 which is designed for low power surface mount applications. (3) (2) (1) Features Lead-Free Solder Plating Low VCE(SAT), t0.5 V Q1 Q2 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site

 0.2. Size:55K  onsemi
 bc856bm3t5g-d.pdf pdf_icon

BC856BM3

BC856BM3T5G Preferred Devices General Purpose Transistor PNP Silicon This transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-723 which is designed for low power surface mount applications. http //onsemi.com This is a Pb-Free Device COLLECTOR MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit 1 BASE Collector-Emitter Voltage VCEO -65 V Collecto

 7.1. Size:658K  nxp
 bc856bm.pdf pdf_icon

BC856BM3

BC856BM 60 V, 100 mA PNP general-purpose transistor 19 August 2015 Product data sheet 1. General description PNP general-purpose transistor in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface- Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement BC846BM. 2. Features and benefits Leadless ultra small SMD plastic package Power dissipation comparable to SOT23 AEC-Q101 quali

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BC847CTT1, BC848BMTF, BC848CMTF, BC848CPDW1, BC849CLT3G, BC850AMTF, BC850CMTF, BC856AMTF, 431, BC856BMTF, BC856CMTF, BC857AMTF, BC857BMTF, BC857CMTF, BC858AMTF, BC858BMTF, BC858CDW1T1G