BCH817-16L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCH817-16L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCH817-16L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCH817-16L даташит

 ..1. Size:205K  onsemi
 bch817-16l bch817-25l bch817-40l nsvbch817-16l nsvbch817-25l nsvbch817-40l.pdf pdf_icon

BCH817-16L

General Purpose Transistors NPN Silicon BCH817-16L/25L/40L, NSVBCH817-16L/25L/40L www.onsemi.com Features 175 C TJ(max) - Rated for High Temperature, Mission Critical COLLECTOR Applications 3 NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 1 Qualified and PPAP Capable BASE These Devices are Pb-Free,

Другие транзисторы: BC859CLT1G, BC859CMTF, BC860AMTF, BC860BMTF, BC860CMTF, BCH807-16L, BCH807-25L, BCH807-40L, C1815, BCH817-25L, BCH817-40L, BCP56T1, BCX18LT1G, BD13510STU, BD13516S, BD13516STU, BD1356STU