FJL4215RTU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJL4215RTU

Маркировка: J4215R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 360 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO264

 Аналоги (замена) для FJL4215RTU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJL4215RTU даташит

 ..1. Size:330K  onsemi
 2sa1943rtu 2sa1943otu fjl4215rtu fjl4215otu.pdf pdf_icon

FJL4215RTU

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 7.1. Size:66K  fairchild semi
 fjl4215.pdf pdf_icon

FJL4215RTU

FJL4215 Audio Power Amplifier High Current Capability IC = -15A) High Power Dissipation Wide S.O.A Complement to FJL4315 TO-264 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -230 V VCEO Collector-Emitter Voltage -230 V VEBO Emitter-

 7.2. Size:487K  fairchild semi
 2sa1943 fjl4215.pdf pdf_icon

FJL4215RTU

January 2009 2SA1943/FJL4215 PNP Epitaxial Silicon Transistor Applications High-Fidelity Audio Output Amplifier General Purpose Power Amplifier Features High Current Capability IC = -17A. High Power Dissipation 150watts. TO-264 1 High Frequency 30MHz. 1.Base 2.Collector 3.Emitter High Voltage VCEO= -250V Wide S.O.A for reliable operation. Ex

Другие транзисторы: BD788G, BF720T3G, BU406TU, EMX2DXV6T5, FJA4213OTU, FJA4213RTU, FJD5555TM, FJL4215OTU, BD135, FJP13007H1TU, FJP13007H1TU-F080, FJP13007H2TU, FJP13007H2TU-F080, FJP13007TU, FJP13009TU, FJP1943OTU, FJP1943RTU