FJP1943RTU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FJP1943RTU

Маркировка: J1943R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 360 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для FJP1943RTU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJP1943RTU даташит

 ..1. Size:323K  onsemi
 fjp1943rtu fjp1943otu.pdf pdf_icon

FJP1943RTU

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 7.1. Size:682K  fairchild semi
 fjp1943.pdf pdf_icon

FJP1943RTU

November 2008 FJP1943 PNP Epitaxial Silicon Transistor Applications High-Fidelity Audio Output Amplifier General Purpose Power Amplifier Features High Current Capability IC = -15A. 1 High Power Dissipation 80watts. TO-220 High Frequency 30MHz. High Voltage VCEO= -230V 1.Base 2.Collector 3.Emitter Wide S.O.A for reliable operation. Excellent

Другие транзисторы: FJL4215RTU, FJP13007H1TU, FJP13007H1TU-F080, FJP13007H2TU, FJP13007H2TU-F080, FJP13007TU, FJP13009TU, FJP1943OTU, SS8050, FJP5027, FJPF13009H1TU, FJPF13009H2TU, FJPF2145TU, FJT44KTF, FJT44TF, KSA1015GRTA, KSA1015YTA