Справочник транзисторов. 2SA122

 

Биполярный транзистор 2SA122 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA122
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.015 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.002 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 65 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 24
   Корпус транзистора: R27
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA122 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:136K  toshiba
2sa1225.pdfpdf_icon

2SA122

2SA1225 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1225 Power Amplifier Applications Unit: mm Driver Stage Amplifier Applications High transition frequency: fT = 100 MHz (typ.) Complementary to 2SC2983 Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -160 VCollector-emitter voltage VCEO -160 VEmitter-

 0.2. Size:85K  nec
2sa1221 2sa1222.pdfpdf_icon

2SA122

DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SA1221, 1222PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERSFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) Ideal for use of high withstanding voltage current such as TVvertical deflection output, audio output, and variable powersupplies. Complementary transistor with 2SC2958 and 2SC2959VCEO = 140 V: 2SA1221/2SC2958VCEO = 160 V: 2S

 0.3. Size:183K  nec
2sa1226.pdfpdf_icon

2SA122

 0.4. Size:30K  no
2sa1227 2sa1227a 2sc2987a.pdfpdf_icon

2SA122

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.