Биполярный транзистор MBT2222ADW1 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MBT2222ADW1
Маркировка: 1P*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT363
Аналог (замена) для MBT2222ADW1
MBT2222ADW1 Datasheet (PDF)
mbt2222adw1 nsvbt2222adw1.pdf

MBT2222ADW1,NSVBT2222ADW1General Purpose TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Moisture Sensitivity Level: 1 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring(3) (2) (1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableQ1 Q2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant(4) (5) (6)MAXIM
mbt2222adw1t1g.pdf

MBT2222ADW1T1GGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1http://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant(3) (2) (1)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit Q1 Q2Collector-Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector-Base Voltage VCBO 75 Vdc(4) (5) (6)Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Cur
mbt2222adw1t1.pdf

MBT2222ADW1T1GGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1http://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant(3) (2) (1)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit Q1 Q2Collector-Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector-Base Voltage VCBO 75 Vdc(4) (5) (6)Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Cur
mmbt2222adw1t1.pdf

FM120-M MMBT2222ADW1T1WILLASTHRUDual General Purpose TransistorsFM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to o
Другие транзисторы... KSP42BU , KSP42TA , KSP43BU , KSP43TA , KSP44BU , KSP44TA , KSP44TF , KSP45TA , BD136 , MBT3904DW2 , MBT6429DW1T1G , MJ14001G , MJE350G , MMBT5401LT3G , MMBT5401M3 , MMBTA42LT , MMBTA43L .
History: NS4234
History: NS4234



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972