MBT2222ADW1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MBT2222ADW1

Маркировка: 1P*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для MBT2222ADW1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT2222ADW1 даташит

 ..1. Size:139K  onsemi
 mbt2222adw1 nsvbt2222adw1.pdf pdf_icon

MBT2222ADW1

MBT2222ADW1, NSVBT2222ADW1 General Purpose Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features Moisture Sensitivity Level 1 NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring (3) (2) (1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable Q1 Q2 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant (4) (5) (6) MAXIM

 0.1. Size:160K  onsemi
 mbt2222adw1t1g.pdf pdf_icon

MBT2222ADW1

MBT2222ADW1T1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant (3) (2) (1) MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Q1 Q2 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 75 Vdc (4) (5) (6) Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Cur

 0.2. Size:164K  onsemi
 mbt2222adw1t1.pdf pdf_icon

MBT2222ADW1

MBT2222ADW1T1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant (3) (2) (1) MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Q1 Q2 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 75 Vdc (4) (5) (6) Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Cur

 0.3. Size:341K  willas
 mmbt2222adw1t1.pdf pdf_icon

MBT2222ADW1

FM120-M MMBT2222ADW1T1 WILLAS THRU Dual General Purpose Transistors FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in order to o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSP42BU, KSP42TA, KSP43BU, KSP43TA, KSP44BU, KSP44TA, KSP44TF, KSP45TA, BD136, MBT3904DW2, MBT6429DW1T1G, MJ14001G, MJE350G, MMBT5401LT3G, MMBT5401M3, MMBTA42LT, MMBTA43L