MBT6429DW1T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MBT6429DW1T1G

Маркировка: 1T*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для MBT6429DW1T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT6429DW1T1G даташит

 ..1. Size:219K  onsemi
 mbt6429dw1t1g.pdf pdf_icon

MBT6429DW1T1G

MBT6429DW1T1G Amplifier Transistors NPN Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant (3) (2) (1) MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO 45 Vdc (4) (5) (6) Collector-Base Voltage VCBO 55 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Current - Continuous IC 200 mAdc THERMAL CHARACTE

 7.1. Size:300K  motorola
 mmbt6428 mmbt6429.pdf pdf_icon

MBT6429DW1T1G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT6428LT1/D Amplifier Transistors MMBT6428LT1 COLLECTOR NPN Silicon MMBT6429LT1 3 1 BASE 2 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol 6428LT1 6429LT1 Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO 50 45 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 Collector Base Voltage VCBO 60 55 Vdc SOT 23 (TO 236AB) Emitter Base Voltage VEBO

 7.2. Size:47K  philips
 pmbt6428 pmbt6429 3.pdf pdf_icon

MBT6429DW1T1G

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PMBT6428; PMBT6429 NPN general purpose transistors 1999 Apr 27 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 02 Philips Semiconductors Product specification NPN general purpose transistors PMBT6428; PMBT6429 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V). 1 base 2 emitter A

 7.3. Size:109K  philips
 pmbt6428 pmbt6429.pdf pdf_icon

MBT6429DW1T1G

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PMBT6428; PMBT6429 NPN general purpose transistors Product data sheet 2004 Jan 22 Supersedes data of 1999 Apr 27 NXP Semiconductors Product data sheet NPN general purpose transistors PMBT6428; PMBT6429 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Gen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSP43BU, KSP43TA, KSP44BU, KSP44TA, KSP44TF, KSP45TA, MBT2222ADW1, MBT3904DW2, B647, MJ14001G, MJE350G, MMBT5401LT3G, MMBT5401M3, MMBTA42LT, MMBTA43L, MMBTA93L, MMBTH10-04LT1G