MJ14001G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJ14001G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2000 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для MJ14001G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJ14001G даташит

 ..1. Size:90K  onsemi
 mj14001 mj14002 mj14003 mj14003g mj14002g mj14001g.pdf pdf_icon

MJ14001G

MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) *Preferred Devices High-Current Complementary Silicon Power Transistors Designed for use in high-power amplifier and switching circuit http //onsemi.com applications. Features 60 AMPERE High Current Capability - IC Continuous = 60 Amperes COMPLEMENTARY SILICON DC Current Gain - hFE = 15-100 @ IC = 50 Adc POWER TRANSISTORS

 7.1. Size:241K  motorola
 mj14001r.pdf pdf_icon

MJ14001G

Order this document MOTOROLA by MJ14001/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN MJ14002* High-Current Complementary PNP MJ14001 Silicon Power Transistors . . . designed for use in high power amplifier and switching circuit applications, MJ14003* High Current Capability IC Continuous = 60 Amperes DC Current Gain hFE = 15 100 @ IC = 50 Adc *Motorola Preferred Device

 7.2. Size:90K  onsemi
 mj14001 mj14002 mj14003.pdf pdf_icon

MJ14001G

MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) *Preferred Devices High-Current Complementary Silicon Power Transistors Designed for use in high-power amplifier and switching circuit http //onsemi.com applications. Features 60 AMPERE High Current Capability - IC Continuous = 60 Amperes COMPLEMENTARY SILICON DC Current Gain - hFE = 15-100 @ IC = 50 Adc POWER TRANSISTORS

 8.1. Size:90K  onsemi
 mj14003g.pdf pdf_icon

MJ14001G

MJ14001 (PNP), MJ14002* (NPN), MJ14003* (PNP) *Preferred Devices High-Current Complementary Silicon Power Transistors Designed for use in high-power amplifier and switching circuit http //onsemi.com applications. Features 60 AMPERE High Current Capability - IC Continuous = 60 Amperes COMPLEMENTARY SILICON DC Current Gain - hFE = 15-100 @ IC = 50 Adc POWER TRANSISTORS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSP43TA, KSP44BU, KSP44TA, KSP44TF, KSP45TA, MBT2222ADW1, MBT3904DW2, MBT6429DW1T1G, A42, MJE350G, MMBT5401LT3G, MMBT5401M3, MMBTA42LT, MMBTA43L, MMBTA93L, MMBTH10-04LT1G, MMJT350