Справочник транзисторов. MMJT350

 

Биполярный транзистор MMJT350 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMJT350
   Маркировка: T350
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для MMJT350

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMJT350 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  onsemi
 mmjt350.pdf pdf_icon

MMJT350

MMJT350Bipolar Power TransistorsPNP SiliconBipolar power transistors are designed for use in line-operatedapplications such as low power, line-operated series pass andswitching regulators requiring PNP capability.www.onsemi.comFeatures0.5 AMPERE High Collector-Emitter Sustaining VoltagePOWER TRANSISTOR Excellent DC Current GainPNP SILICON Epoxy Meets UL 94 V-0

 0.1. Size:137K  onsemi
 mmjt350t1g.pdf pdf_icon

MMJT350

MMJT350T1G,SMMJT350T1GBipolar Power TransistorsPNP SiliconBipolar power transistors are designed for use in line-operatedhttp://onsemi.comapplications such as low power, line-operated series pass andswitching regulators requiring PNP capability.0.5 AMPEREFeaturesPOWER TRANSISTOR High Collector-Emitter Sustaining Voltage -PNP SILICONVCEO(sus) = 300 Vdc @ IC 300 VOL

Другие транзисторы... MJ14001G , MJE350G , MMBT5401LT3G , MMBT5401M3 , MMBTA42LT , MMBTA43L , MMBTA93L , MMBTH10-04LT1G , 2N5551 , MPSA42G , MPSA42RL1G , MPSA42RLRAG , MPSA42RLRMG , MPSA42RLRPG , MPSA42ZL1G , MSB1218A , MSB92AS1WT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.