NJVMJD32CT4G-VF01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NJVMJD32CT4G-VF01

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: DPAK

 Аналоги (замена) для NJVMJD32CT4G-VF01

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJVMJD32CT4G-VF01 даташит

 0.1. Size:132K  onsemi
 njvmjd31ct4g-vf01 njvmjd32ct4g-vf01.pdf pdf_icon

NJVMJD32CT4G-VF01

NJVMJD3xxT4G-VF01 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching www.onsemi.com applications. Features SILICON Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves POWER TRANSISTORS Straight Lead Version in Plastic Sleeves ( 1 Suffix) 3 AMPERES Lead Formed Version in 16 mm

 2.1. Size:135K  onsemi
 mjd31 njvmjd31t4g mjd31c njvmjd31ct4g mjd32 njvmjd32t4g mjd32c njvmjd32cg njvmjd32ct4g.pdf pdf_icon

NJVMJD32CT4G-VF01

 6.1. Size:140K  onsemi
 njvmjd31 njvmjd32.pdf pdf_icon

NJVMJD32CT4G-VF01

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MSB92AS1WT1G, MSC2712YT1G, MSD601-RT1, MSD601-ST1, NJV4030P, NJVMJB44H11, NJVMJB45H11, NJVMJD31CT4G-VF01, 13007, NSB4904DW1T2G, NSS1C200MZ4, NSS20200DMT, NSS40300MZ4, NSS40301MZ4, NSS60101DMR6, NSS60200DMT, NSS60200L