NSB4904DW1T2G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NSB4904DW1T2G
Маркировка: RC*
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.187 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: SOT363
Аналоги (замена) для NSB4904DW1T2G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NSB4904DW1T2G даташит
nsb4904dw1t1g nsb4904dw1t2g.pdf
NSB4904DW1T1G, NSB4904DW1T2G Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount http //onsemi.com Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 6 5 4 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with R1 R2 a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base Q1 resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are Q2
nsb4904dw1t.pdf
NSB4904DW1T1G, NSB4904DW1T2G Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount http //onsemi.com Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 6 5 4 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with R1 R2 a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base Q1 resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are Q2
nsb4904dw1.pdf
NSB4904DW1T1G, NSB4904DW1T2G Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount http //onsemi.com Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 6 5 4 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with R1 R2 a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base Q1 resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are Q2
Другие транзисторы: MSC2712YT1G, MSD601-RT1, MSD601-ST1, NJV4030P, NJVMJB44H11, NJVMJB45H11, NJVMJD31CT4G-VF01, NJVMJD32CT4G-VF01, BD140, NSS1C200MZ4, NSS20200DMT, NSS40300MZ4, NSS40301MZ4, NSS60101DMR6, NSS60200DMT, NSS60200L, NSS60201SMT
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet



