NSS60101DMR6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSS60101DMR6

Маркировка: RAD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.53 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SC74

 Аналоги (замена) для NSS60101DMR6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS60101DMR6 даташит

 ..1. Size:233K  onsemi
nss60101dmr6.pdfpdf_icon

NSS60101DMR6

Low VCE(sat) NPN Transistors, 60 V, 1 A NSS60101DMR6 ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These www.onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.

 4.1. Size:211K  onsemi
nss60101dmt.pdfpdf_icon

NSS60101DMR6

DATA SHEET www.onsemi.com Low VCE(sat) NPN Transistors 60 Volt, 1 Amp NPN Low VCE(sat) Transistors 60 V, 1 A MARKING NSS60101DMT DIAGRAM onsemi s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are 1 6 WDFN6 miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage AN MG 2 5 CASE 506AN G (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use 3 4 1

 7.1. Size:116K  onsemi
nss60100dmt.pdfpdf_icon

NSS60101DMR6

NSS60100DMT 60 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistors ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These www.onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.

 9.1. Size:107K  onsemi
nss60601mz4-d.pdfpdf_icon

NSS60101DMR6

NSS60601MZ4 60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where http //onsemi.com affordable efficient energy control is important. Typica

Другие транзисторы: NJVMJB45H11, NJVMJD31CT4G-VF01, NJVMJD32CT4G-VF01, NSB4904DW1T2G, NSS1C200MZ4, NSS20200DMT, NSS40300MZ4, NSS40301MZ4, 13009, NSS60200DMT, NSS60200L, NSS60201SMT, NSS60600MZ4, NST1601CL, NST3904MX2, NST3906DXV6T1, NST3906MX2