Справочник транзисторов. NSS60200DMT

 

Биполярный транзистор NSS60200DMT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS60200DMT
   Маркировка: AD*
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.27 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 155 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: WDFN6 WDFNW6
 

 Аналог (замена) для NSS60200DMT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS60200DMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  onsemi
nss60200dmt.pdfpdf_icon

NSS60200DMT

DATA SHEETwww.onsemi.comLow VCE(sat) PNP Transistors 60 Volt, 2 AmpPNP Low VCE(sat) Transistors60 V, 2 AMARKINGNSS60200DMTDIAGRAMonsemis e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are1miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltageWDFN6AD M(VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use CASE 506ANin low voltage, h

 6.1. Size:148K  onsemi
nss60200l.pdfpdf_icon

NSS60200DMT

NSS60200L60 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is important.-

 6.2. Size:127K  onsemi
nss60200l-d.pdfpdf_icon

NSS60200DMT

NSS60200LT1G60 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

 7.1. Size:206K  onsemi
nss60201smt.pdfpdf_icon

NSS60200DMT

DATA SHEETwww.onsemi.comLow VCE(sat) NPN Transistor 60 Volt, 2 AmpNPN Low VCE(sat) Transistor60 V, 2 AMARKINGNSS60201SMTDIAGRAMonsemis e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are1 6WDFN6miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage AQ MG2 5CASE 506ANG(VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use3 41

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.