Биполярный транзистор 2SA1225 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SA1225
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO202
Аналог (замена) для 2SA1225
2SA1225 Datasheet (PDF)
2sa1225.pdf

2SA1225 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1225 Power Amplifier Applications Unit: mm Driver Stage Amplifier Applications High transition frequency: fT = 100 MHz (typ.) Complementary to 2SC2983 Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -160 VCollector-emitter voltage VCEO -160 VEmitter-
2sa1225.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors2SA1225 TRANSISTOR (PNP)TO-252-2L FEATURES 1. BASE High Transition Frequency Complementary to 2SC29832. COLLECTOR 3 .EMITTER APPLICATIONS Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications Equivalent Circuit A1225=Device code A1225Solid dot=Gre
2sa1225.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1225DESCRIPTIONHigh transition frequency100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationComplementary to 2SC2983APPLICATIONSPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol
2sa1221 2sa1222.pdf

DATA SHEETSILICON TRANSISTORS2SA1221, 1222PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERSFEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm) Ideal for use of high withstanding voltage current such as TVvertical deflection output, audio output, and variable powersupplies. Complementary transistor with 2SC2958 and 2SC2959VCEO = 140 V: 2SA1221/2SC2958VCEO = 160 V: 2S
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: PZT751T1 | 2SC4578 | 2SC568 | PVR100AD-B12V
History: PZT751T1 | 2SC4578 | 2SC568 | PVR100AD-B12V



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor