Биполярный транзистор NST846BMX2 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: NST846BMX2
Маркировка: AD
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.165 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: X2DFN3
- подбор биполярного транзистора по параметрам
NST846BMX2 Datasheet (PDF)
nst846bmx2 nst847amx2 nst847bmx2.pdf

DATA SHEETwww.onsemi.comCOLLECTORGeneral Purpose3Transistors1BASENPN Silicon2NST846BMX2,EMITTERNST847AMX2,NST847BMX2 3Features1 Moisture Sensitivity Level: 12 ESD Rating - Human Body Model: > 4000 VX2DFN3 (1.0x0.6)ESD Rating - Machine Model: > 350 VCASE 714AC These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantMAXIMUM RA
nst846bf3-d.pdf

NST846BF3T5GNPN General PurposeTransistorThe NST846BF3T5G device is a spin-off of our popularSOT-23/SOT-323/SOT-563 three-leaded device. It is designed forgeneral purpose amplifier applications and is housed in the SOT-1123http://onsemi.comsurface mount package. This device is ideal for low-power surfacemount applications where board space is at a premium.COLLECTORFeatures
nst846bf3t5g.pdf

NST846BF3T5GNPN General PurposeTransistorThe NST846BF3T5G device is a spin-off of our popularSOT-23/SOT-323/SOT-563 three-leaded device. It is designed forgeneral purpose amplifier applications and is housed in the SOT-1123www.onsemi.comsurface mount package. This device is ideal for low-power surfacemount applications where board space is at a premium.COLLECTORFeatures 3
nst847bpdp6.pdf

NST847BPDP6T5GDual ComplementaryGeneral Purpose TransistorThe NST847BPDP6T5G device is a spin-off of our popularSOT-23/SOT-323/SOT-563 three-leaded device. It is designed forgeneral purpose amplifier applications and is housed in the SOT-963six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices inhttp://onsemi.comone package, this device is ideal for low-power surface
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BTN3501E3 | HPA72R-4 | 2N6208 | 2N6188 | 2SD2122LB | FA4A4P
History: BTN3501E3 | HPA72R-4 | 2N6208 | 2N6188 | 2SD2122LB | FA4A4P



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor