NSV40501UW3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSV40501UW3

Маркировка: VB*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.875 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: WDFN3

 Аналоги (замена) для NSV40501UW3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSV40501UW3 даташит

 ..1. Size:163K  onsemi
nss40501uw3 nsv40501uw3.pdfpdf_icon

NSV40501UW3

NSS40501UW3, NSV40501UW3 40 V, 5.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy contr

 0.1. Size:108K  onsemi
nsv40501uw3t2g.pdfpdf_icon

NSV40501UW3

NSS40501UW3, NSV40501UW3 40 V, 5.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy contr

 9.1. Size:86K  onsemi
nss40200l nsv40200l.pdfpdf_icon

NSV40501UW3

NSS40200L, NSV40200L 40 V, 2.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These www.onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is im

 9.2. Size:132K  onsemi
nsv40300mdr2g.pdfpdf_icon

NSV40501UW3

NSS40300MDR2G, NSV40300MDR2G Dual Matched 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor These transistors are part of the ON Semiconductor e2PowerEdge http //onsemi.com family of Low VCE(sat) transistors. They are assembled to create a pair of devices highly matched in all parameters, including ultra low 40 VOLTS saturation voltage VCE(sat), high current gain and Base/Emitter turn on 6.0 A

Другие транзисторы: NST857BMX2, NSV1C200L, NSV1C200MZ4, NSV1C201L, NSV1C201MZ4, NSV1C301CT, NSV20101J, NSV40200L, BC558, NSVBC818-40L, NSVBC849BLT1G, NSVBC856BM3, NSVBCH807-16L, NSVBCH807-25L, NSVBCH807-40L, NSVBCH817-16L, NSVBCH817-25L