Биполярный транзистор NSVF4020SG4 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NSVF4020SG4
Маркировка: GT
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13000 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: MCPH4
Аналоги (замена) для NSVF4020SG4
NSVF4020SG4 Datasheet (PDF)
nsvf4020sg4.pdf
NSVF4020SG4 RF Transistor for Low Noise Amplifier This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. MCPH package is suitable for use under high temperature environment because it www.onsemi.com has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 8 V, 150 mA Features fT = 16 GHz t
nsvf4017sg4.pdf
NSVF4017SG4RF Transistor for Low NoiseAmplifier12 V, 100 mA, fT = 10 GHz typ.This RF transistor is designed for low noise amplifier applications.www.onsemi.comMCPH package is suitable for use under high temperatureenvironment because it has superior heat radiation characteristics.This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable forautomotive applications.Features 1
nsvf4009sg4.pdf
NSVF4009SG4 RF Transistor for Low Noise Amplifier This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. MCPH package is suitable for use under high temperature environment because it www.onsemi.com has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 3.5 V, 40 mA Features fT = 25 GHz
nsvf4015sg4.pdf
NSVF4015SG4RF Transistor for Low NoiseAmplifier12 V, 100 mA, fT = 10 GHz typ.This RF transistor is designed for low noise amplifier applications.www.onsemi.comMCPH package is suitable for use under high temperatureenvironment because it has superior heat radiation characteristics.This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for12 V, 100 mAautomotive applications
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050